Ваша заявка принята!
Объем: 4096 МБ; Частота: 1600МГц; Латентность: CL11; Тайминги: 11-11-11-28; Форм-фактор: DIMM, 240-pin; Тип поставки: Ret
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1060 Стандарт памяти: PC-8500 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 7
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 204-pin SO DIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR2 Частота, мегагерц: 667 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 5
Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 11
Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1333 Стандарт памяти: PC-10600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 9
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Серия продукции Radeon R3 Value Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 2, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 2, ГБ Эффективная частота 1333, МГц Пропускная способность 10600, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 240
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Обьем памяти: 2GB Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Эффективная частота МГц: 1600 Пропускная способность Мб/с: 12800 Тайминги CL - tRCD - tRP: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35V
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В