Форм-фактор: SO-DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 11

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц радиатор CAS Latency (CL): 16

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 16-16-16-36 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 19200 Мб/с

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

1 модуль памяти DDR4 объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 16-18-18-35 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15-35 пропускная способность: PC17000