Объем памяти 4 ГБ Тип DDR3 SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR3L SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.5 В

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.5 В

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM частота1600 МГц

1 модуль памяти DDR3 объем памяти: 4 ГБ тип: SODIMM 204-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SO-DIMM 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В