Оперативная память
AMD OEM 2Gb (R532G1601U1SL-UO)
2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор
Patriot Memory 2Gb 1шт. (PSD22G80026)
1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6-18 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400
Foxline 2 ГБ 1 шт. (FL1600D3S11-2G)
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Foxline 2Gb (FL1600D3S11SL-2G)
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Foxline 2GB 1шт. (FL1600D3U11S1-2G)
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM частота1600 МГц
Patriot Memory SL 2Gb 1шт. (PSD22G8002S)
1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6-18 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400
AMD 2 Gb 1 шт. (R322G805U2S-UGO) ОЕМ
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 5
4 ГБ 1 шт. AMD R534G1601U1S-UO (R534G1601U1S-UO)
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
AMD 4Gb 1шт. R744G2606U1S (R744G2606U1S-UO)
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц радиатор CAS Latency (CL): 16