Оперативная память
Advantech 2G DDR3-1600 240Pin 256MX8 1.35V (AQD-D3L2GN16-SQ1)
Тип Модуль памяти Модель AQD-D3L2GN16-SQ1 Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля, ГБ 2 Количество модулей в комплекте, шт 1 Суммарный объем, ГБ 2 Эффективная частота, МГц 1600 Пропускная способность, Мб/с 12800 Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Игровая (для геймеров) Нет Количество чипов на модуле, шт 8 Количество ранков 1 Количество контактов 240
Ramaxel so-dimm DDR3L 12800S 2GB (RMT3190ME76F8F-1600)
Обьем памяти: 2GB Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Эффективная частота МГц: 1600 Пропускная способность Мб/с: 12800 Тайминги CL - tRCD - tRP: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35V
QUMO SO-DIMM 2GB DDR3-1600 (QUM3S-2G1600T11L)
Тип DDR3 Объем одного модуля 2 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. CL 11 Особенности Unregistered
Patriot Memory SL 4Gb 1шт. (PSD34G1600L81S)
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Apacer 4Gb DDR-III 1600MHz SO-DIMM(DS.04G2K.KAM)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Patriot Memory SL 2Gb 1шт. (PSD22G8002S)
1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6-18 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400
Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 (QUM3U-4G1600C11L)
Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ Тип DDR3L DIMM 240-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800 Особенности Unregistered
Intel Optane M10 16GB M.2 42mm PCIe (MEMPEI1J016GAL)
Intel Optane Memory Module M10 16GB M.2 42mm PCIe
Hynix DDR4 1x4Gb, 3200MHz (HMA851S6DJR6N-XN)
Форм-фактор: SO-DIMM Тип памяти: DDR4 Частота, мегагерц: 3200 Стандарт памяти: PC4-25600 Общий объем, гигабайт: 4 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 4 CAS Latency (CL): 22
AMD 4Gb DDR-III 1600MHz (R534G1601U1S-U)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Netac SO-DIMM 4Gb 1шт. (NTBSD3N16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Netac 4Gb 1шт. (NTBSD3P16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
Оперативная память DDR3, DDR4: модули DIMM и SODIMM
В интернет-магазине MobiComShop.ru представлен широкий ассортимент оперативной памяти различных типов от ведущих производителей: Kingston, Netac, AMD, Apacer и других. Наш каталог включает модули для настольных компьютеров и ноутбуков с разными характеристиками и форм-факторами.
Типы оперативной памяти в нашем ассортименте
DDR3 DIMM — стандартные модули для настольных компьютеров с тактовой частотой от 1333 до 1600 МГц
DDR3L SODIMM — энергоэффективные модули для ноутбуков с пониженным напряжением питания 1.35В
DDR4 DIMM — современные модули для настольных компьютеров с повышенной производительностью и тактовой частотой от 2133 МГц
DDR4 SODIMM — компактные модули для современных ноутбуков с улучшенной энергоэффективностью
Как выбрать подходящую оперативную память?
При выборе модулей оперативной памяти обратите внимание на следующие характеристики:
Тип памяти — DDR3 или DDR4, в зависимости от совместимости с вашей материнской платой или ноутбуком
Форм-фактор — DIMM (240/288-pin) для настольных компьютеров или SODIMM (204/260-pin) для ноутбуков
Объем памяти — от 2 ГБ для базовых задач до 8-16 ГБ для требовательных приложений и игр
Тактовая частота — влияет на общую производительность системы (1600 МГц для DDR3, 2666 МГц и выше для DDR4)
Тайминги — CL (CAS Latency) и другие параметры задержек, влияющие на скорость работы
Напряжение питания — стандартное 1.5В для DDR3, 1.35В для DDR3L, 1.2В для DDR4
Преимущества разных поколений оперативной памяти
DDR3
Широкая совместимость с большинством устаревших материнских плат
Более доступная стоимость
Достаточная производительность для большинства повседневных задач
DDR4
Более высокая пропускная способность и скорость передачи данных
Пониженное энергопотребление (1.2В)
Улучшенная стабильность и повышенная производительность
Возможность использования больших объемов памяти
Разница между DIMM и SODIMM
DIMM (Dual In-line Memory Module) — стандартные модули памяти для настольных компьютеров, имеют размер около 133x32 мм и устанавливаются вертикально в материнскую плату.
SODIMM (Small Outline DIMM) — компактные модули для ноутбуков и мини-компьютеров, размером примерно 67x30 мм, значительно меньше по сравнению с DIMM.
Важно: модули DIMM и SODIMM не взаимозаменяемы из-за разных физических размеров и количества контактов.
Покупая оперативную память в MobiComShop.ru, Вы получаете качественные модули с гарантией совместимости и стабильной работы по доступной цене. Доставка осуществляется по Москве.