Оперативная память
Foxline 1 ГБ 1 шт. (FL400D1U3-1G)
1 модуль памяти DDR объем модуля 1 ГБ форм-фактор DIMM, 184-контактный частота 400 МГц CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory 2 ГБ 1 шт. (PSD22G80026)
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
Foxline 2Gb (FL1600D3S11SL-2G)
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Foxline 2GB 1шт. (FL1600D3U11S1-2G)
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM частота1600 МГц
Patriot Memory 2 ГБ 1 шт. (PSD22G8002S)
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
Crucial CT25664BD160B 2Gb 1шт. (CT25664BD160B)
1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Netac SO-DIMM 4Gb 1шт. (NTBSD3N16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Netac 4Gb 1шт. (NTBSD3P16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
Foxline 1Gb 1шт. (FL800D2U5-1G)
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 5
AMD 2 Gb 1 шт. (R322G805U2S-UGO) ОЕМ
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 5