Назначение
внутренний
Тип
SSD
Форм-фактор
M.2
Размер M.2
2280
Интерфейс
PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2
Поддержка NVMe
да, 2.0
HMB (Host Memory Buffer)
да
Объём накопителя
1000 ГБ
Тип флэш-памяти
TLC
Контроллер
Samsung In-House Controller
Скорость чтения
7150 МБ/сек
Скорость записи
6300 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков
850000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков
1350000 IOPS
Инструкции и документы
Технические характеристики 1Tb Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0B/AM)
Скачать0.3 Мб
Дополнительно
Ресурс перезаписи (TBW)
600 ТБ
Время наработки на отказ
1500000 ч
Цвета, использованные в оформлении
чёрный
Размеры (ШхВхГ)
22 x 2 x 80 мм
