Увеличить изображение                            
                        
                                   
                
                                                
               
                   
                                 
                
                                
                
                
          
      
    Описание модели
   Объём памяти: 4 Гб
Тип памяти: DDR3
Пропускная способность: 12800 Мб/с
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Activate to Precharge Delay (tRAS): 28
Напряжение питания: 1.35 В